Henry院士团队论文成功入选Nanomaterials期刊“纳米电子学、纳米传感器和器件”专题2021年度十大精选论文之一

        研究院首席科学家兼光电集成电路研发中心主任、欧洲科学院院士Henry H. Radamson团队于2020年发表的综述性论文“State-of-the-art and Future Perspectives in Advanced CMOS Technology”成功入选Nanomaterials期刊“纳米电子学、纳米传感器和器件”专题 2020-2021 年度十大精选论文之一。

        1965年，英特尔创始人戈登·摩尔Gordon Moore提出，在价格不变时，集成电路上的晶体管密度每年加倍，性能也提升一倍（即摩尔定律）。当前，集成电路已经从“微电子技术”发展到“纳米电子技术”，从“摩尔时代”发展到“后摩尔时代”，从“平面MOSFETs器件”发展到“三维FinFETs器件以及纳米级GAAFETs器件”，如何使纳米级晶体管性能具备低功耗同时保持高性能是延续摩尔定律的重要技术途径之一，也是当前国际前沿热点问题之一。

针对上述技术背景，本文详细介绍了先进 CMOS 相关技术，内容涵盖了纳米级GAAFET器件新架构、纳米级晶体管TCAD仿真工具开发和纳米级晶体管制备工艺等，有望延续国际半导体技术路线图（ITRS）和提升后摩尔时代先进纳米级晶体管性能。同时，该论文也重点讨论了先进纳米级图案化光刻技术、SiGe外延作为源/漏中的应力源材料以及其他关键器件工艺和可靠性问题，并且给出了后摩尔时代高迁移率沟道材料的可能愿景，包括III-V材料和二维晶体材料生长及其在高迁移率沟道FinFET、光电探测器和传感器方面的应用。最后，论文介绍了用于纳米分析的在线监测的计量技术以及与人工智能相结合的协同计量技术。

        论文信息：Radamson H H, Zhu H, Wu Z, et al. State of the art and future perspectives in advanced CMOS technology[J]. Nanomaterials, 2020, 10(8): 1555. doi: 10.3390/nano10081555.

        详见链接：https://www.mdpi.com/about/announcements/5160