计算光刻研发中心
定位:以计算光刻与版图优化关键技术为核心,完成核心工具的开发、验证、应用示范和推广,形成完整的研发体系,以推动国产计算光刻与版图优化自动化工具的国产化;重点面向光刻工艺仿真及优化、设计工艺联合优化、光源版图联合优化、光学临近效应修正技术,开展针对先进工艺节点(FDSOI、FinFET等)的光刻工艺仿真及优化研究,建立覆盖全国的一站式计算光刻与版图优化技术专业服务平台。
研究方向一:面向集成电路制造的EDA关键技术
光学成像模型;
光刻胶模型;
光学临近效应修正;
光学规则检查;
设计工艺联合优化。
研究方向二:计算光刻
光刻工艺仿真;
光源掩模协同优化;
光学临近效应修正;
设计工艺联合优化。

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