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战略布局

Strategic

计算光刻研发中心


定位:以计算光刻与版图优化关键技术为核心,完成核心工具的开发、验证、应用示范和推广,形成完整的研发体系,以推动国产计算光刻与版图优化自动化工具的国产化;重点面向光刻工艺仿真及优化、设计工艺联合优化、光源版图联合优化、光学临近效应修正技术,开展针对先进工艺节点(FDSOI、FinFET等)的光刻工艺仿真及优化研究,建立覆盖全国的一站式计算光刻与版图优化技术专业服务平台。


研究方向一:面向集成电路制造的EDA关键技术

光学成像模型;

光刻胶模型;

光学临近效应修正;

光学规则检查;

设计工艺联合优化。

研究方向二:计算光刻

光刻工艺仿真;

光源掩模协同优化;

光学临近效应修正;

设计工艺联合优化。





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