定位：以计算光刻与版图优化关键技术为核心，完成核心工具的开发、验证、应用示范和推广，形成完整的研发体系，以推动国产计算光刻与版图优化自动化工具的国产化；重点面向光刻工艺仿真及优化、设计工艺联合优化、光源版图联合优化、光学临近效应修正技术，开展针对先进工艺节点（FDSOI、FinFET等）的光刻工艺仿真及优化研究，建立覆盖全国的一站式计算光刻与版图优化技术专业服务平台。

研究方向一：面向集成电路制造的EDA关键技术

光学成像模型；

光刻胶模型；

光学临近效应修正；

光学规则检查；

设计工艺联合优化。

研究方向二：计算光刻

光刻工艺仿真；

光源掩模协同优化；

光学临近效应修正；

设计工艺联合优化。