定位：面向从材料生长到设计、制造、封装、测试等光电混合集成技术的研究。建设光电集成关键技术应用研发平台；开展和突破自主红外图像传感器核心材料制备、数据采集、系统核心芯片技术和产业化研究；研制短波红外相机成像芯片，提供多领域的成套解决方案，突破下一代更轻、更快、更节能的红外成像关键技术。

研究方向

硅基应变衬底技术研究，即光电子混合集成衬底制备关键工艺技术研究，包括硅基上IV族（Ge、GeSn）和III-V族（InP,GaAs）材料的大尺度生长；

光电子混合集成关键器件技术研究，包括硅基上激光器，探测器，晶体管，调制器以及波导集成的研究；

微电子学和光子学的单片3D集成工艺技术方案研究；

红外成像芯片制造的关键技术研究。